CSD88537NDT备选型号: IRF7855TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- Vgs(最大值)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- TEXAS INSTRUMENTS CSD88537NDTDual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 VACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 WeeksGold表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8540.001716mgSILICON15A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99雪崩 额定2.1W鸥翼260未说明CSD885372Dual增强型MOSFET2.1W6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING15m Ω @ 8A, 10V3.6V @ 250μA1400pF @ 30V18nC @ 10V15ns19 ns8A3V20V8A0.019Ohm60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°CStandard1.75mm4.9mm3.91mm1.58mm无SVHCROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC-12 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SILICON12A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99--鸥翼----Single增强型MOSFET2.5W8.7 nsN-ChannelSWITCHING9.4m Ω @ 12A, 10V4.9V @ 100μA1560pF @ 25V39nC @ 10V13ns12 ns12A-20V--60V---1.4986mm4.9784mm3.9878mm--ROHS3 Compliant无铅20069.4MOhmMatte Tin (Sn)DUAL±20V97A540 mJ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7351TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO | 对比 |





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