CY14B104M-ZSP45XI备选型号: IS62WV25616DBLL-45TLI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 逻辑功能
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 字长
- 时间格式
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 表面安装
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 电源
- 端口的数量
- 最大电源电流
- 输出特性
- 地址总线宽度
- I/O类型
- 同步/异步
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP12 WeeksTin表面贴装表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)54Non-Volatile-40°C~85°C TATray2012e3活跃3 (168 Hours)543A991.B.2.A1W2.7V~3.6VDUAL26013V0.8mm30CY14B104543.3V3.6V2.7V4Mb 256K x 1652mAClockNVSRAMParallel16b256KX161645ns4 Mb0.005A45 ns16bHH:MM:SS22.415mm1.2mm无ROHS3 Compliant-------------
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV25616DBLL-45TLI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, 2.5V a 3.6V, TSOP-II, 44 Pines, 45 ns---表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile-40°C~85°C TATray-e3Discontinued3 (168 Hours)44--2.5V~3.6VDUAL2601-0.8mm40-44-3.6V2.3V4Mb 256K x 1618mA-SRAMParallel---45ns4 Mb0.000007A45 ns16b-18.54mm-无ROHS3 CompliantYESyes哑光锡2.5/3.3V13mA3-STATE18bCOMMONAsynchronous1.05mm10.29mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B104LA-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| CY14B104NA-ZSP45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC NVSRAM 4MBIT 45NS 54TSOP | 对比 | |
| CY14B104NA-ZSP45XIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP | 对比 |


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