CY14B108N-BA45XI备选型号: CY62157EV30LL-45BVXI
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
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- 安装类型
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 内存大小
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- 逻辑功能
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- 组织结构
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- 待机电流-最大值
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- 时间格式
- 长度
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 终端
- 频率
- 端口的数量
- 最大电源电流
- 输出特性
- 地址总线宽度
- I/O类型
- 同步/异步
- 达到SVHC
- IC NVSRAM 8MBIT 45NS 48FBGA12 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装48-TFBGA48Non-Volatile-40°C~85°C TATray2007e1活跃3 (168 Hours)483A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)8542.32.00.412.7V~3.6VBOTTOM26013V0.75mm30CY14B108483V3.6V2.7V8Mb 512K x 1657mAClockNVSRAMParallel16b512KX161645ns8 Mb0.01A45 ns16bHH:MM:SS10mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62157EV30LL-45BVXI - IC, SRAM, 8MB, 512KX16, 3V, VFBGA486 Weeks-表面贴装表面贴装48-VFBGA48Volatile-40°C~85°C TATray2001e1活跃3 (168 Hours)48-Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-2.2V~3.6VBOTTOM26013V0.75mm30CY62157483V3.6V2.2V8Mb 512K x 1625mA-SRAMParallel--1645ns8 Mb0.000005A45 ns16b-8mm-无ROHS3 Compliant无铅223.195796mgMoBL®yesSMD/SMT1MHz125mA3-STATE19bCOMMONAsynchronous无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B104NA-BA45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFBGA | IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA | 对比 | |
| CY14B108L-BA45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFBGA | IC NVSRAM 8MBIT 45NS 48FBGA | 对比 | |
![]() | AS6C8016A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA | 对比 |



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