CY14MB064J2A-SXI备选型号: 23K640-I/SN

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 界面
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
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  • 内存宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC NVSRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOIC
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2000
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    3A991.B.2.A
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    8542.32.00.41
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    1.27mm
    20
    CY14MB064
    R-PDSO-G8
    不合格
    3V
    3.6V
    3V
    2.7V
    2-Wire, I2C, Serial
    64Kb 8K x 8
    SYNCHRONOUS
    3.4MHz
    900 ns
    NVSRAM
    I2C
    8b
    8KX8
    8
    64 kb
    0.00012A
    4.889mm
    1.727mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MICROCHIP - 23K640-I/SN - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 2.7V to 3.6V, SOIC, 8 Pins
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    -
    40
    23K640
    -
    -
    3.3V
    3.6V
    -
    2.7V
    SPI, Serial
    64Kb 8K x 8
    -
    20MHz
    25 ns
    SRAM
    SPI
    -
    -
    -
    64 kb
    0.000004A
    4.9mm
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    yes
    8
    1
    10mA
    3-STATE
    1b
    SEPARATE
    Synchronous
    8b
    2.7V
    1.25mm
    3.9mm
    无SVHC
    无铅
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