CY7C1019CV33-12ZXC备选型号: 71V124SA12PHG8
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- JESD-609代码
- 零件状态
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- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- Reach合规守则
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
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- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
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- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 温度等级
- 界面
- 访问时间
- 宽度
- 器件厚度
- IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II表面贴装表面贴装32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)32Volatile75mA0°C~70°C TATray2002e3Obsolete3 (168 Hours)32Matte Tin (Sn)3.3VDUAL2601unknown12GHz20CY7C1019不合格1Mb 128K x 81SRAMParallel3-STATE812ns17b1 Mb0.005ACOMMONAsynchronous8b2V3.63V2.97V20.95mmROHS3 Compliant无铅----------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin TSOP-II T/R表面贴装-SOIC32RAM, SDR, SRAM - Asynchronous130mA--2013e3活跃3 (168 Hours)32Matte Tin (Sn) - annealed3.3VDUAL2601--30-不合格128kB1--3-STATE--17b1 Mb-COMMONAsynchronous8b3V3.6V3V20.95mm符合RoHS标准无铅7 Weeksyes70°C0°C鸥翼COMMERCIALParallel12 ns10.16mm1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS63WV1288DBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32-Pin TSOP-II | 对比 | |
![]() | 71V124SA15PHG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SOIC | SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM | 对比 |
![]() | 71V124SA12PHG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SOIC | SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM | 对比 |






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