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CY7C1312BV18-200BZXC备选型号: IS61QDB21M18A-250M3L

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  • 安装类型
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 内存大小
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  • 时钟频率
  • 访问时间
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  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 无铅代码
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1312BV18-200BZXC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    675mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    e1
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    1mm
    unknown
    20
    CY7C1312
    不合格
    18Mb 1M x 18
    2
    200MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    19b
    18 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.7V
    1.9V
    1.7V
    15mm
    1.4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB21M18A-250M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    -
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    950mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    锡银铜
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    1mm
    -
    10
    -
    不合格
    18Mb 1M x 18
    2
    250MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    19b
    18 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.7V
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.4mm
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    YES
    yes
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