CY8C3866AXI-206备选型号: AS8C803625-QC75N
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
- 端子间距
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 振荡器类型
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 核心处理器
- 周边设备
- 程序存储器类型
- 芯尺寸
- 程序内存大小
- 连接方式
- 数据总线宽度
- 定时器/计数器的数量
- EEPROM 大小
- 边界扫描
- 可编程I/O数
- 内存(字)
- 可擦除紫外线
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 电压 - 供电
- 功能数量
- 工作电源电压
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 最高频率
- 长度
- 宽度
- IC MCU 8BIT 64KB FLASH 100TQFP16 Weeks表面贴装100-LQFPYES100A/D 16x20b; D/A 2x8b-40°C~85°C TATrayPSOC® 3 CY8C38xx2011e3活跃3 (168 Hours)1003A991.A.3Matte Tin (Sn)QUAD鸥翼2603.3V0.5mm67MHz30CY8C3866100不合格5.5V1.8/5V1.71VCAN, EBI/EMI, I2C, LIN, SPI, UART, USART, USB64kBInternal1.71V~5.5V8051CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDTFLASH8-Bit64KB 64K x 8EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART8b42K x 8YES628000N1.6mmROHS3 Compliant无铅--------------
- SRAM 8M, 3.3V, 7.5ns 256K x 36 Synch SRAM8 Weeks表面贴装100-LQFPYES100Volatile0°C~70°C TATray-2010-活跃3 (168 Hours)100--QUAD-未说明3.3V0.65mm-未说明-100-3.465V-3.135V-9Mb 256K x 36---------------1.6mmROHS3 Compliant无铅yes3.135V~3.465V13.3V7.5nsSRAMParallel256KX36368.5ns9 Mb117MHz20mm14mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AS8C801825-QC75N | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 100-LQFP | SRAM 8M, 3.3V, 7.5ns 512K x 18 Synch SRAM | 对比 | |
| AS8C801825A-QC75N | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 100-LQFP | SRAM 8M, 3.3V, 7.5ns 512K x 18 Synch SRAM | 对比 | |
| IS61NLF25618EC-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | SRAM 4Mb, 3.3v, 7.5ns 256K x 18 Sync SRAM | 对比 |


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