CYD09S72V-133BBC备选型号: CYD18S72V-100BBC

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA
    表面贴装
    表面贴装
    484-BGA
    484
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    484
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    PIPELINED ARCHITECTURE OR FLOW-THROUGH
    1.42V~1.58V 1.7V~1.9V
    BOTTOM
    220
    1
    3.3V
    1mm
    CYD09S72
    484
    3.3V
    3.465V
    3.135V
    9Mb 128K x 72
    2
    500mA
    133MHz
    4.4ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    72
    34b
    9 Mb
    0.075A
    COMMON
    Synchronous
    72b
    3.14V
    1.9mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18MBIT 100MHZ 484FBGA
    表面贴装
    表面贴装
    484-BGA
    484
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2003
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    484
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    PIPELINED ARCHITECTURE OR FLOW-THROUGH
    3.135V~3.465V
    BOTTOM
    220
    1
    3.3V
    1mm
    CYD18S72
    484
    3.3V
    3.465V
    3.135V
    18Mb 256K x 72
    2
    450mA
    100MHz
    5 ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    72
    36b
    18 Mb
    0.075A
    COMMON
    Synchronous
    72b
    3.14V
    1.9mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    15 Weeks
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