CYDC128B16-55AXI备选型号: 71V67903S80PFG
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- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
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- 电源
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- 内存大小
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- 同步/异步
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- 长度
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 终端形式
- 频率
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 访问时间
- 宽度
- 器件厚度
- IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP8 Weeks表面贴装表面贴装100-LQFP100Volatile-40°C~85°C TATray2005e4yesObsolete3 (168 Hours)100EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 3V~3.6VQUAD26011.8V0.5mm30CYDC1001.8V1.9V1.8/3V1.7V128Kb 8K x 16225mASRAMParallel8KX163-STATE1655ns26b128 kb0.000006A18MHz55 nsCOMMONAsynchronous16b14mm1.6mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 8ns 100-Pin TQFP8 Weeks表面贴装-TQFP100100MHz--2004e3yes活跃3 (168 Hours)100-Matte Tin (Sn) - annealed-QUAD26013.3V0.65mm30-1003.3V---1.1MB1210mA---3-STATE--19b9 Mb0.05A--COMMONSynchronous18b20mm-无符合RoHS标准无铅70°C0°CFLOW-THROUGH ARCHITECTURE鸥翼100MHzCOMMERCIALParallel3.465V3.135V8 ns14mm1.4mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 70V24S55PFG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Async Dual 3.3V 64K-Bit 4K x 16 55ns 100-Pin TQFP Tray | 对比 |




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