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首页 全部分类 DBF10G vs 2SC3332T-AA

DBF10G备选型号: 2SC3332T-AA

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 频率
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    DBF10G
    ON Semiconductor
    DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SIP
    通孔
    通孔
    4-SIP, DBF
    4
    1
    150°C TJ
    Bulk
    2009
    e6
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    Single
    单相
    10μA @ 600V
    1.05V @ 500mA
    1A
    1A
    1.05V
    10μA
    600V
    30A
    30A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SC3332T-AA
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    160V
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2012
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4 Weeks
    Tin
    400mV
    yes
    700mW
    120MHz
    2SC3332
    3
    700mW
    120MHz
    NPN
    NPN
    160V
    700mA
    100 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    400mV @ 25mA, 250mA
    160V
    180V
    6V
    4mm
    5mm
    5mm
    无铅
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