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首页 全部分类 DDB6U84N16RR vs APTGT30H60T1G

DDB6U84N16RR备选型号: APTGT30H60T1G

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  • 配置
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  • 输入
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • Infineon
    DDB6U84N16RR
    Infineon
    Discrete Semiconductor Modules 1600V 85A UN-CNTL
    Screw
    Module
    6
    1
    Bulk
    no
    17
    EAR99
    150°C
    -40°C
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    17
    R-XUFM-X17
    不合格
    Single
    85A
    ISOLATED
    不含卤素
    1.55V
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    1.6kV
    1.6kV
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT30H60T1G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP-1
    Chassis Mount, Screw
    SP1
    12
    600V
    -
    yes
    12
    EAR99
    -
    -
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    -
    -
    12
    -
    -
    -
    -
    ISOLATED
    -
    -
    N-CHANNEL
    600V
    50A
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    36 Weeks
    底座安装
    SILICON
    -40°C~175°C TJ
    2012
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    锡银铜
    90W
    全桥逆变器
    90W
    MOTOR CONTROL
    Standard
    250μA
    1.6nF
    170 ns
    1.9V @ 15V, 30A
    310 ns
    沟渠现场停车
    有
    20V
    1.6nF @ 25V
    1.9 V
    无
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