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DF900R12IP4DBOSA1备选型号: FF450R12KT4HOSA1
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- 底架
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 系列
- 极性
- 功率耗散
- 最大集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900AScrew底座安装Module10SILICON1.2kV-40°C~150°C2002no活跃1 (Unlimited)6EAR995.1kWUPPERUNSPECIFIED未说明未说明10R-XUFM-X6不合格单斩波器SingleISOLATED5100W电源控制不含卤素N-CHANNELStandard1.2kV5mA1200V370 ns2.05V @ 15V, 900A1300 ns沟渠现场停车有54nF @ 25V无SVHC符合RoHS标准含铅---------
IGBT MOD 1200V 580A 2400WPanel, Screw底座安装Module7-1.2kV-40°C~150°C TJ2002yes活跃1 (Unlimited)7EAR992.4kWUPPER---7--半桥DualISOLATED2400W---Standard1.2kV5mA1200V230 ns2.15V @ 15V, 450A720 ns沟渠现场停车无28nF @ 25VUnknownROHS3 Compliant-14 Weeks2.1VCNPN2.4kW580A30.9mm106.4mm61.4mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGT35X120T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3 | 对比 |
 | FP75R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 105A 355W | 对比 |
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