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首页 全部分类 DFE10I600PM vs RHRP860

DFE10I600PM备选型号: RHRP860

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • 引脚数量
  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
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  • 最大浪涌电流
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  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    DFE10I600PM
    IXYS
    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    POWER
    LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE
    8541.10.00.80
    3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    20μA @ 600V
    1.5V @ 10A
    -55°C~150°C
    100A
    1.8V
    600V
    10A
    1
    35 ns
    20μA
    100A
    600V
    35 ns
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RHRP860
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2002
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    175°C
    -65°C
    超快软恢复
    自由旋转二极管
    8541.10.00.80
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    2.1V @ 8A
    -65°C~175°C
    100A
    2.1V
    600V
    8A
    1
    35 ns
    100μA
    100A
    600V
    35 ns
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    2.16g
    e3
    Tin (Sn)
    25pF
    600V
    8A
    75W
    8A
    CATHODE
    8A
    600V
    100A
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
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