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首页 全部分类 DGD2181S8-13 vs MIC4101YM

DGD2181S8-13备选型号: MIC4101YM

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  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DGD2181S8-13
    Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    10V~20V
    未说明
    未说明
    2.3A
    Non-Inverting
    40ns 20ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    1.9A 2.3A
    600V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4101YM
    Microchip Technology
    IC MOSFET DVR HALF BRIDGE 8-SOIC
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    2006
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    9V~16V
    -
    -
    2A
    Non-Inverting
    400ns 400ns
    Independent
    2
    N-Channel MOSFET
    2A 2A
    118V
    ROHS3 Compliant
    8-SOIC
    125°C
    -40°C
    1.04W
    MIC4101
    1
    16V
    9V
    3.4mA
    2A
    31 ns
    8 ns
    600ns
    600 ns
    无SVHC
    无
    无铅
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