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首页 全部分类 DMA502010R vs IMD9AT108

DMA502010R备选型号: IMD9AT108

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  • 晶体管类型
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  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 功率耗散
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Panasonic Electronic Components
    DMA502010R
    Panasonic Electronic Components
    Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    5-SMD, Flat Leads
    5
    SILICON
    50V
    -500mV
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    150mW
    未说明
    unknown
    未说明
    DMA50201
    PNP
    Dual
    150mW
    AMPLIFIER
    150MHz
    2 PNP (Dual)
    50V
    100mA
    210 @ 2mA 10V
    100μA
    500mV @ 10mA, 100mA
    150MHz
    50V
    60V
    7V
    -100mA
    600μm
    2mm
    1.25mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    IMD9AT108
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    300mW
    260
    -
    10
    *MD9
    NPN, PNP
    Dual
    -
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    68 @ 5mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    50V
    -
    5V
    100mA
    1.2mm
    3mm
    1.8mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
    8541.21.00.75
    鸥翼
    100mA
    6
    100mA
    50V
    300mW
    250MHz
    10k Ω
    47k Ω
    0.3 V
    无SVHC
    无
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