DMC5610L0R备选型号: EMD22T2R
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- 最大功率耗散
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
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- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 发射极基极电压 (VEBO)
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- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 转换频率
- 频率转换
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Transistor w/resistr 2.0x2.1mm Flat lead10 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD (5 Leads), Flat Lead550V250mVTape & Reel (TR)2010Discontinued1 (Unlimited)5EAR99150°C-40°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1150mW未说明unknown未说明DMC5610NPNDual150mWSWITCHING2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)50V100mA20 @ 5mA 10V500nA250mV @ 500μA, 10mA50V50V4.7k Ω100mA4.7k Ω600μm2mm1.25mm符合RoHS标准--------------
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT613 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666650V-Tape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)6EAR99150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10150mW260-10*MD22NPN, PNPDual150mWSWITCHING1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)300mV100mA80 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 2.5mA50V-4.7k Ω100mA47k Ω---ROHS3 Compliante2yes锡铜8541.21.00.75FLAT100mA6100mA50V250MHz250MHz无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC5640M0R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-SMD, Flat Leads | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm | 对比 |
![]() | DMC5610N0R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | Bipolar Transistors - Pre-Biased Transistor w/resistr 2.0x2.1mm Flat lead | 对比 |
![]() | DMC561000R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm | 对比 |




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