DME501010R备选型号: DMA502010R
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- 基本部件号
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- RoHS状态
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
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- 无铅
- Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm10 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD (5 Leads), Flat Lead550V150°C TJTape & Reel (TR)2015Discontinued1 (Unlimited)EAR99150mW未说明unknown未说明DME50101NPN, PNPDual150mW150MHzNPN, PNP (Emitter Coupled)300mV100mA210 @ 2mA 10V100μA300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA50V-100mA600μm2mm1.25mm符合RoHS标准---------
- Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm10 Weeks表面贴装表面贴装5-SMD, Flat Leads550V150°C TJCut Tape (CT)2011Discontinued1 (Unlimited)EAR99150mW未说明unknown未说明DMA50201PNPDual150mW150MHz2 PNP (Dual)50V100mA210 @ 2mA 10V100μA500mV @ 10mA, 100mA50V-100mA600μm2mm1.25mm符合RoHS标准TinSILICON-500mV5AMPLIFIER150MHz60V7V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC501010R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 5-SMD, Flat Leads | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm | 对比 |
| DTC123JKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 | |
![]() | DMA501010R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 5-SMD, Flat Leads | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm | 对比 |



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