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首页 全部分类 DMG7702SFG-13 vs IRFHM8334TRPBF

DMG7702SFG-13备选型号: IRFHM8334TRPBF

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 终端形式
  • 配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMG7702SFG-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 12A - 9.5A
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    72.007789mg
    SILICON
    890mW Ta
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    S-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    4310pF @ 15V
    14.7nC @ 10V
    27.8ns
    30V
    ±20V
    13.6 ns
    12A
    20V
    9.5A
    30V
    Schottky Diode (Body)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    2.7W Ta 28W Tc
    2.35V @ 25μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    S-PDSO-F5
    1
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    30V
    ±20V
    4.6 ns
    13A
    20V
    25A
    30V
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    FLAT
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.7W
    1.8V
    0.009Ohm
    35 mJ
    无铅
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