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首页 全部分类 DMN1019UFDE-7 vs DMG5802LFX-7

DMN1019UFDE-7备选型号: DMG5802LFX-7

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  • 触点镀层
  • 底架
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMN1019UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
    14 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    R-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 9.7A, 4.5V
    800mV @ 250μA
    2425pF @ 10V
    50.6nC @ 8V
    22.2ns
    12V
    ±8V
    16.8 ns
    11A
    8V
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG5802LFX-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-VFDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    32.18 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    -
    260
    40
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    3.69 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    15m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1066.4pF @ 15V
    31.3nC @ 10V
    13.43ns
    24V
    -
    22.45 ns
    6.5A
    12V
    800μm
    5.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    980mW
    FLAT
    6
    980mW
    0.015Ohm
    24V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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