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首页 全部分类 DMN10H220LVT-7 vs FDC6306P

DMN10H220LVT-7备选型号: FDC6306P

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  • 终止次数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN10H220LVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    1.87A Ta
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    220m Ω @ 1.6A, 10V
    401pF @ 25V
    8.3nC @ 10V
    100V
    ±16V
    1.87A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    2
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    2 P-Channel (Dual)
    170m Ω @ 1.9A, 4.5V
    441pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    20V
    -
    1.9A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6
    36mg
    SILICON
    PowerTrench®
    yes
    6
    170mOhm
    -20V
    960mW
    鸥翼
    -1.9A
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    6 ns
    700mW
    SWITCHING
    1.5V @ 250μA
    9ns
    9 ns
    -900mV
    8V
    -20V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -900 mV
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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