DMN2320UFB4-7B备选型号: IRLML2402TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 触点镀层
- 制造商包装标识符
- 系列
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-315 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)BOTTOM无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING320m Ω @ 500mA, 4.5V950mV @ 250μA71pF @ 10V0.89nC @ 4.5V20V±8V1A1A20VROHS3 Compliant-------------------------
- MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-2312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL鸥翼26030-增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING250m Ω @ 930mA, 4.5V700mV @ 250μA110pF @ 15V3.9nC @ 4.5V-±12V1.2A--ROHS3 CompliantTinMicro3HEXFET®SMD/SMT250mOhmHIGH RELIABILITY20V1.2A不合格Single540mW2.5 ns9.5ns4.8 ns700mV12V20V20V700 mV20V1.016mm3.0226mm3.05mm无SVHC无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R | 对比 |





哦! 它是空的。