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DMN3016LPS-13备选型号: IRFHM8334TRPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 系列
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI822 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON10.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUALFLAT未说明未说明AEC-Q101R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1415pF @ 15V25.1nC @ 10V30V±20V10.8A9.5A0.016Ohm70A30V24 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON13A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013-Obsolete1 (Unlimited)5EAR99--DUALFLAT---S-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 20A, 10V2.35V @ 25μA1180pF @ 10V15nC @ 10V30V±20V13A25A0.009Ohm-30V35 mJROHS3 CompliantHEXFET®12.7W8.3 ns14ns4.6 ns1.8V20V无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3016LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | 对比 |
 | DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET MOSFET N-CHAN | 对比 |
 | DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6 | 对比 |
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