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首页 全部分类 DMN3018SFGQ-7 vs IRF8313PBF

DMN3018SFGQ-7备选型号: IRF8313PBF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMN3018SFGQ-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8.5A Ta
    2.1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    21m Ω @ 10A, 10V
    697pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    30V
    ±25V
    8.5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    9.7A
    -
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual)
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    760pF @ 15V
    90nC @ 4.5V
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    2004
    8
    鸥翼
    IRF8313PBF
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    SWITCHING
    2.35V @ 25μA
    MS-012AA
    9.7A
    0.0155Ohm
    81A
    30V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2W
    逻辑电平门
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