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首页 全部分类 DMN3025LFG-7 vs IRF8313PBF

DMN3025LFG-7备选型号: IRF8313PBF

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  • 参考标准
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 功率 - 最大
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • Diodes Incorporated
    DMN3025LFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    7.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    AEC-Q101
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 7.8A, 10V
    2V @ 250μA
    605pF @ 15V
    11.6nC @ 10V
    4.1ns
    30V
    ±20V
    4.7 ns
    7.5A
    20V
    60A
    30V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    SILICON
    9.7A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    90nC @ 4.5V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    81A
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    鸥翼
    IRF8313PBF
    不合格
    2W
    MS-012AA
    9.7A
    0.0155Ohm
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2W
    逻辑电平门
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