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DMN4010LFG-7备选型号: BSC093N04LSGATMA1
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- 场效应管类型
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- 晶体管元件材料
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- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-823 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN872.007789mg11.5A Ta3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.81nF未说明未说明DMN40101SingleN-Channel12m Ω @ 14A, 10V1810pF @ 20V37nC @ 10V±20V11.5A20V40VROHS3 Compliant-----------------------
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP39 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-13A Ta 49A Tc2V @ 14μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011-活跃1 (Unlimited)EAR99-------N-Channel9.3m Ω @ 40A, 10V1900pF @ 20V24nC @ 10V±20V13A20V-ROHS3 CompliantTinSILICONOptiMOS™no5AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUALFLATR-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET35WDRAIN3.6 nsSWITCHING无卤素2.4ns2.8 ns40V0.0093Ohm无SVHC无含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMC8327L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | ON SEMICONDUCTOR - FDMC8327L - MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V | 对比 |
 | DMN3016LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | 对比 |
 | FDMS8888 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET, N CH, 30V, 21A, POWER56 | 对比 |
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