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首页 全部分类 DMN4800LSSQ-13 vs IRF8707GTRPBF

DMN4800LSSQ-13备选型号: IRF8707GTRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMN4800LSSQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    14m Ω @ 9A, 10V
    1.6V @ 250μA
    798pF @ 10V
    8.7nC @ 5V
    30V
    ±25V
    8.6A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8707GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9.3nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    11A
    ROHS3 Compliant
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    6.7 ns
    7.9ns
    4.4 ns
    1.8V
    20V
    30V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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