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首页 全部分类 DMN601DMK-7 vs DMN5L06DMK-7

DMN601DMK-7备选型号: DMN5L06DMK-7

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 资历状况
  • Diodes Incorporated
    DMN601DMK-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    LOW CAPACITANCE
    60V
    700mW
    鸥翼
    260
    305mA
    40
    DMN601DMK
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    980mW
    3.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.4 Ω @ 200mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    50pF @ 25V
    304nC @ 4.5V
    3.4ns
    9.9 ns
    510mA
    20V
    0.305A
    4Ohm
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    5 pF
    1.1mm
    3mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN5L06DMK-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    50V
    400mW
    鸥翼
    260
    305mA
    40
    DMN5L06DMK
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    400mW
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2 Ω @ 50mA, 5V
    1V @ 250μA
    50pF @ 25V
    -
    -
    -
    305mA
    20V
    0.305A
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    5 pF
    1.1mm
    3mm
    1.6mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.5Ohm
    不合格
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