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DMNH4006SPSQ-13备选型号: IPD90N04S405ATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET NCH 40V 110A POWERDI17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON110A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e3活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 50A, 10V2280pF @ 25V40V20V110A0.007Ohm40Vnot_compliantROHS3 Compliant---------
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-31316 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON86A Tc4V @ 30μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2010e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel-5.2m Ω @ 86A, 10V2960pF @ 25V-±20V86A0.0052Ohm-not_compliantROHS3 Compliant9 ns无卤素37nC @ 10V11ns10 ns20V40V77 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMTH4007LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | 对比 |
| DMTH4007LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A | 对比 |
 | STB80N4F6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | 对比 |
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