DMP2100UFU-7备选型号: FDS9926A
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-615 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e4活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)900mW未说明未说明900mW2 P-Channel (Dual)38m Ω @ 3.5A, 10V1.4V @ 250μA906pF @ 10V21.4nC @ 10V20V5.7AStandardROHS3 Compliant--------------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V10 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)2W--900mW2 N-Channel (Dual)30m Ω @ 6.5A, 4.5V1.5V @ 250μA650pF @ 10V9nC @ 4.5V-6.5A逻辑电平门ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8187mgSILICON2PowerTrench®yes8SMD/SMT20V鸥翼6.5ADual增强型MOSFET2W8 nsSWITCHING9ns4 ns1V10V0.03Ohm20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1 V5mm1.5mm4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLTS2242TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP | 对比 |




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