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首页 全部分类 DMP3065LVT-7 vs FDC658P

DMP3065LVT-7备选型号: FDC658P

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP3065LVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    260
    30
    DMP3065
    1
    Single
    5.7 ns
    P-Channel
    42m Ω @ 4.9A, 10V
    2.1V @ 250μA
    587pF @ 15V
    12.3nC @ 10V
    11.8ns
    30V
    ±20V
    23.9 ns
    4.9A
    20V
    -30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC658P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 V
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    1
    Single
    12 ns
    P-Channel
    50m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    750pF @ 15V
    12nC @ 5V
    14ns
    30V
    ±20V
    16 ns
    -4A
    20V
    -30V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6
    36mg
    SILICON
    PowerTrench®
    yes
    6
    50mOhm
    逻辑电平兼容
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -4A
    增强型MOSFET
    1.6W
    SWITCHING
    -1.7V
    4A
    150°C
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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