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首页 全部分类 DMS3012SFG-7 vs DMG7702SFG-7

DMS3012SFG-7备选型号: DMG7702SFG-7

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Diodes Incorporated
    DMS3012SFG-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 3V 12A 8-Pin PowerDI T/R
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    72.007789mg
    SILICON
    12A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    10mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    8
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4310pF @ 15V
    14.7nC @ 10V
    27.8ns
    30V
    ±20V
    13.6 ns
    12A
    20V
    9.5A
    30V
    Schottky Diode (Body)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG7702SFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    72.007789mg
    SILICON
    12A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    8
    S-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4310pF @ 15V
    31.6nC @ 10V
    27.8ns
    30V
    ±20V
    13.6 ns
    12A
    20V
    9.5A
    30V
    Schottky Diode (Body)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    1
    Single
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