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DMT10H010LPS-13备选型号: BSC070N10NS5ATMA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 9.4A22 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN89.4A Ta 98A Tc3.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel9.5m Ω @ 13A, 10V3000pF @ 50V71nC @ 10V100V±20V98Anot_compliantROHS3 Compliant--------------------------
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-826 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN880A Tc3.8V @ 50μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011-yes活跃1 (Unlimited)--未说明未说明N-Channel7m Ω @ 40A, 10V2700pF @ 50V38nC @ 10V-±20V14A-ROHS3 Compliant506.605978mgSILICONOptiMOS™5DUALFLATR-PDSO-F51Single增强型MOSFET2.5WDRAIN13 nsSWITCHING无卤素5ns6 ns20V100V0.007Ohm100V320A55 mJ150°C1.1mm含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN | 对比 |
 | STL70N10F3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS | 对比 |
| IRLH5030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRLH5030TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |
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