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DMT10H014LSS-13备选型号: DMT10H015LSS-13

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • Diodes Incorporated
    DMT10H014LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    8.9A Ta
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 20A, 10V
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    8.9A
    0.018Ohm
    54A
    100V
    85 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMT10H015LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    1.2W Ta
    3.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    16m Ω @ 20A, 10V
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    8.3A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    yes
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