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首页 全部分类 DMT3008LFDF-7 vs NVTFS4C13NTAG

DMT3008LFDF-7备选型号: NVTFS4C13NTAG

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 参考标准
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT3008LFDF-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 12A
    22 Weeks
    6-UDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    800mW Ta
    3V @ 250μA
    2015
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 9A, 10V
    886pF @ 15V
    14nC @ 10V
    30V
    ±20V
    12A
    10.4A
    0.01Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C13NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
    18 Weeks
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    14A Ta
    2.1V @ 250μA
    2014
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 30A, 10V
    770pF @ 15V
    15.2nC @ 10V
    -
    ±20V
    14A
    40A
    0.0094Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    yes
    AEC-Q101
    20V
    30V
    152A
    10 mJ
    not_compliant
    无铅
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