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首页 全部分类 DMT6015LPS-13 vs IRFH5406TRPBF

DMT6015LPS-13备选型号: IRFH5406TRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMT6015LPS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    10.6A Ta 31A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    16m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1103pF @ 30V
    18.9nC @ 10V
    60V
    ±16V
    31A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5406TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    11A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    260
    30
    N-Channel
    14.4m Ω @ 24A, 10V
    4V @ 50μA
    1256pF @ 25V
    35nC @ 10V
    -
    ±20V
    40A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    IRFH5406TRPBF
    HEXFET®
    5
    14.4MOhm
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    8.7ns
    3.5 ns
    4V
    20V
    60V
    45 mJ
    150°C
    2 V
    900μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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