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首页 全部分类 DMTH4004LPS-13 vs IRL40B215

DMTH4004LPS-13备选型号: IRL40B215

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMTH4004LPS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 40V 26A POWERDI
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    26A Ta 100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 50A, 10V
    3V @ 250μA
    4508pF @ 20V
    82.2nC @ 10V
    40V
    ±20V
    100A
    26A
    0.004Ohm
    40V
    110 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL40B215
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 120A
    12 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.7m Ω @ 98A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5225pF @ 25V
    84nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    120A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Single
    21 ns
    2.4V
    20V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    Unknown
    无铅
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