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DMTH4004SCTBQ-13备选型号: FDB8444
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 生命周期状态
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- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 40V 100A TO26322 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明not_compliant未说明N-Channel3m Ω @ 100A, 10V4V @ 250μA4305pF @ 25V68.6nC @ 10V40V±20V100AROHS3 Compliant--------------------
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)---N-Channel5.5m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA8035pF @ 25V128nC @ 10V-±20V70AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1.31247gSILICON25.5MOhm鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET167WDRAIN12 nsSWITCHING78ns15 ns20V40V307 mJ无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB120N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
| IPB120N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
| IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | 对比 |
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