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首页 全部分类 DMTH4007LK3-13 vs IPD50N04S4L08ATMA1

DMTH4007LK3-13备选型号: IPD50N04S4L08ATMA1

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMTH4007LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16.8A Ta 70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7.3m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1895pF @ 30V
    29.1nC @ 10V
    40V
    ±20V
    70A
    16.8A
    0.0098Ohm
    80A
    40V
    20 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S4L08ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    7.3m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 17μA
    2340pF @ 25V
    30nC @ 10V
    -
    +20V, -16V
    50A
    -
    -
    200A
    -
    55 mJ
    ROHS3 Compliant
    3
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    4 ns
    无卤素
    8ns
    18 ns
    20V
    40V
    含铅
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