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DMTH6010LPSQ-13备选型号: IRF6648TRPBF
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI50622 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN813.5A Ta 100A Tc3V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel8m Ω @ 20A, 10V2090pF @ 30V41.3nC @ 10V60V±20V100Anot_compliantROHS3 Compliant---------------------------
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MN514.9V @ 150μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e1-活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)--N-Channel7m Ω @ 17A, 10V2120pF @ 25V50nC @ 10V-±20V86mA无SVHCROHS3 CompliantSILICONHEXFET®3低导通损耗60VBOTTOM86AR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN16 nsSWITCHING29ns13 ns4V20V0.007Ohm60V260A47 mJ5.05mm5.45mm508μm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | 对比 |
| DMT6010LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 13.5A | 对比 |
 | DMTH6010SK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 16.3A | 对比 |
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