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首页 全部分类 DN2535N5-G vs IPP17N25S3100AKSA1

DN2535N5-G备选型号: IPP17N25S3100AKSA1

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  • 工厂交货时间
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  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Microchip Technology
    DN2535N5-G
    Microchip Technology
    Trans MOSFET N-CH 350V 0.5A 3-Pin TO-220 Tube
    5 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    500mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低阈值
    未说明
    未说明
    不合格
    1
    Single
    15W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25 Ω @ 120mA, 0V
    300pF @ 25V
    15ns
    ±20V
    20 ns
    500mA
    TO-220AB
    20V
    0.5A
    350V
    0.5A
    耗尽模式
    9.02mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP17N25S3100AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3
    14 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    -
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    4.4 ns
    N-Channel
    -
    100mOhm @ 17A, 10V
    1500pF @ 25V
    3.7ns
    ±20V
    1.2 ns
    17A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TO220-3-1
    OptiMOS™
    175°C
    -55°C
    4V @ 54μA
    无卤素
    19nC @ 10V
    250V
    250V
    1.5nF
    100mOhm
    100 mΩ
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