DN2540N5-G备选型号: IPA50R800CEXKSA2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 无铅代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- MICROCHIP - DN2540N5-G - MOSFET, N CH, 400V, 0.5A, TO-220AB-35 Weeks通孔通孔TO-220-336.000006gSILICON500mA Tj-55°C~150°C TJTube2013e3活跃1 (Unlimited)3EAR99哑光锡低阈值1Single15WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING25 Ω @ 120mA, 0V300pF @ 25V15ns±20V20 ns500mA-1.5VTO-220AB20V0.5A400V0.5A耗尽模式22.86mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3-SILICON4.1A Tc-40°C~150°C TJTube2008e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)----ISOLATED6.2 nsN-ChannelSWITCHING800m Ω @ 1.5A, 13V280pF @ 100V5.5ns±20V15.9 ns4.1A-TO-220AB20V--15.5A------ROHS3 Compliant无铅CoolMOS™ CEyesSINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.5V @ 130μA无卤素12.4nC @ 10V500V0.8Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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