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首页 全部分类 DS1225AB-200 vs IS61C64AL-10JLI

DS1225AB-200 备选型号: IS61C64AL-10JLI

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  • 无铅
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  • 输出特性
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 座位高度(最大)
  • Maxim Integrated
    DS1225AB-200
    Maxim Integrated
    IC, NVSRAM, 64KBIT, 200NS, DIP-28 - More Details
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
    28
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    哑光锡
    10 YEAR DATA RETENTION
    8473.30.11.40
    4.75V~5.25V
    DUAL
    1
    5V
    2.54mm
    200GHz
    DS1225A
    28
    5V
    5V
    64Kb 8K x 8
    75mA
    NVSRAM
    Parallel
    8b
    8KX8
    200ns
    8b
    64 kb
    0.01A
    200 ns
    9.4mm
    39.12mm
    18.29mm
    Unknown
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61C64AL-10JLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip ASynchronous Single 5 Volt 64K-bit 8K x 8 10ns 28-Pin SOJ
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
    28
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    4.75V~5.25V
    DUAL
    1
    5V
    -
    -
    -
    28
    5V
    5V
    64Kb 8K x 8
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    8KX8
    10ns
    13b
    64 kb
    -
    -
    -
    -
    7.62mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    260
    40
    1
    50mA
    3-STATE
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    3.56mm
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