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首页 全部分类 DS1250ABP-70IND vs BQ4016MC-70

DS1250ABP-70IND备选型号: BQ4016MC-70

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  • 安装类型
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
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  • 组织结构
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  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间（最大）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 端子间距
  • 频率
  • 工作电源电压
  • 电源电流
  • 数据总线宽度
  • 密度
  • 字长
  • 辐射硬化
  • Maxim Integrated
    DS1250ABP-70IND
    Maxim Integrated
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
    YES
    34-PowerCap™ Module
    表面贴装
    Non-Volatile
    2007
    Tube
    -40°C~85°C TA
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    34
    3A991.B.2.A
    锡铅
    10 YEAR DATA RETENTION
    8473.30.11.40
    4.75V~5.25V
    DUAL
    225
    1
    5V
    not_compliant
    30
    DS1250AB
    34
    R-XDMA-U34
    不合格
    5.25V
    5V
    4.75V
    4Mb 512K x 8
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    512KX8
    8
    70ns
    0.005A
    4194304 bit
    70 ns
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    BQ4016MC-70
    Texas Instruments
    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36DIP
    -
    36-DIP Module (0.610, 15.49mm)
    通孔
    Non-Volatile
    -
    Tube
    0°C~70°C TA
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    36
    3A991.B.2.A
    -
    -
    8542.32.00.41
    4.75V~5.5V
    DUAL
    -
    1
    5V
    -
    -
    BQ4016
    36
    -
    -
    -
    5V
    -
    8Mb 1M x 8
    -
    NVSRAM
    Parallel
    1MX8
    8
    70ns
    0.005A
    -
    70 ns
    ROHS3 Compliant
    含铅
    通孔
    36
    no
    2.54mm
    70GHz
    5V
    115mA
    8b
    8 Mb
    8b
    无
  • 添加型号
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