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首页 全部分类 DS1265AB-70 vs IS62C51216AL-55TLI

DS1265AB-70备选型号: IS62C51216AL-55TLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间（最大）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 工作电源电压
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Maxim Integrated
    DS1265AB-70
    Maxim Integrated
    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
    通孔
    36-DIP Module (0.600, 15.24mm)
    NO
    36
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    36
    3A991.B.2.A
    哑光锡
    8473.30.11.40
    4.75V~5.25V
    DUAL
    未说明
    1
    5V
    2.54mm
    未说明
    DS1265AB
    36
    不合格
    5.25V
    5V
    4.75V
    8Mb 1M x 8
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    1MX8
    8
    70ns
    0.0002A
    8388608 bit
    70 ns
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS62C51216AL-55TLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 5V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    4.5V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    5V
    0.8mm
    40
    -
    44
    -
    -
    5V
    -
    8Mb 512K x 16
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    16
    55ns
    0.00006A
    -
    55 ns
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    5V
    1
    25mA
    3-STATE
    19b
    8 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    2V
    无
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