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首页 全部分类 DS1350YL-100 vs 71256S100TDB

DS1350YL-100备选型号: 71256S100TDB

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 功能数量
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  • 引脚数量
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  • 电源电压-最大值(Vsup)
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  • 内存大小
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  • 底架
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 工作电源电压
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • Maxim Integrated
    DS1350YL-100
    Maxim Integrated
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM
    表面贴装
    34-LPM
    YES
    34
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2000
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    34
    DATA RETENTION = 10 YRS
    4.5V~5.5V
    DUAL
    1
    5V
    100GHz
    DS1350Y
    34
    不合格
    5.5V
    4.5V
    4Mb 512K x 8
    1
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    512KX8
    3-STATE
    8
    100ns
    4194304 bit
    100 ns
    YES
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71256S100TDB
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 100ns 28-Pin CDIP
    -
    CDIP
    -
    28
    RAM, SRAM - Asynchronous
    -
    Bulk
    2011
    -
    活跃
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    1
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    含铅
    通孔
    125°C
    -55°C
    5V
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    135mA
    100 ns
    15b
    256 kb
    Asynchronous
    8b
    37.72mm
    7.62mm
    3.56mm
    无
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