DS28E80Q T备选型号: 24LC256-I/P
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- 基本部件号
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- 内存接口
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 电源电流
- 时钟频率
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据保持时间
- 写入保护
- I2C控制字节
- 反向引脚排列
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- IC EEPROM 1.9KBIT 1WIRE 6TDFN6 Weeks表面贴装6-WDFN Exposed PadNon-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)8542.32.00.712.97V~3.63V未说明未说明DS28E80Serial2Kb 2K x 12μsEEPROM1-Wire®ROHS3 Compliant--------------------------------
- MICROCHIP - 24LC256-I/P - EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell I2C (2-Draht), 400 kHz, DIP, 8 Pin(s)7 Weeks通孔8-DIP (0.300, 7.62mm)Non-Volatile-40°C~85°C TATube2005活跃1 (Unlimited)-2.5V~5.5V--24LC2562-Wire, I2C, Serial256Kb 32K x 8900nsEEPROMI2CROHS3 Compliant通孔8e3yes8EAR99Matte Tin (Sn)DUAL12.54mm85.5V3/5V2.5V3mA400kHz5ms256 kb0.000005AI2C1000000 Write/Erase Cycles5ms200HARDWARE1010DDDRNO3.3mm9.27mm6.35mm无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 24LC128-I/P | Microchip Technology | 存储器 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | MICROCHIP - 24LC128-I/P - EEPROM, AEC-Q100, 128 Kbit, 16K x 8bit, Sériové I2C (2-Wire), 400 kHz, DIP, 8 Pinu | 对比 |
![]() | 24LC64-I/SN | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | EEPROM SERIAL 64K, 24LC64, SOIC8 | 对比 |





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