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首页 全部分类 DTA123TET1G vs RN2312(TE85L,F)

DTA123TET1G备选型号: RN2312(TE85L,F)

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  • 晶体管类型
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    DTA123TET1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    3
    PNP
    Single
    SWITCHING
    无卤素
    PNP - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    2.2 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN2312(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    100mW
    -
    -
    -
    PNP
    Single
    -
    -
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    22 k Ω
    无
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    RN231*
    100mW
    50V
    200MHz
    -100mA
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