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DTC015EUBTL备选型号: RN1306,LF

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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 最小直流增益（hFE）
  • 连续集电极电流
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 质量
  • 最小工作温度
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    DTC015EUBTL
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
    7 Weeks
    表面贴装
    SC
    85
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    200mW
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F3
    40mV
    NPN
    Single
    SWITCHING
    100mV
    20mA
    250MHz
    250MHz
    50V
    80
    100mA
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1306,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    -
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    NPN
    Single
    -
    50V
    100mA
    -
    -
    50V
    -
    100mA
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    28.009329mg
    -55°C
    NPN - Pre-Biased
    80 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    50V
    5V
    4.7 k Ω
    47 k Ω
    900μm
    2mm
    1.25mm
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