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首页 全部分类 ECH8410-TL-H vs BSC090N03LSGATMA1

ECH8410-TL-H备选型号: BSC090N03LSGATMA1

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  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    ECH8410-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 12A ECH8
    7 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    12A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    8
    2
    Single
    17 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 6A, 10V
    无卤素
    1700pF @ 10V
    31nC @ 10V
    50ns
    30V
    ±20V
    72 ns
    12A
    20V
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC090N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    13A Ta 48A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    8
    -
    -
    -
    N-Channel
    9m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    1500pF @ 15V
    18nC @ 10V
    2.6ns
    -
    ±20V
    -
    13A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    OptiMOS™
    5
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    32W
    DRAIN
    SWITCHING
    2.2V @ 250μA
    30V
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