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首页 全部分类 EFC6612R-A-TF vs TIG065E8-TL-H

EFC6612R-A-TF备选型号: TIG065E8-TL-H

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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 无卤素
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大击穿电压
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    EFC6612R-A-TF
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, No Lead
    Tape & Reel (TR)
    2017
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    27nC @ 4.5V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    TIG065E8-TL-H
    ON Semiconductor
    IGBT, N-Channel, 400V, 150A, VCE(sat); 4.2V, Single ECH8
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8
    400V
    4.2V
    150°C TJ
    e6
    yes
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    Single
    Standard
    无卤素
    400V
    150A
    400V
    7V @ 2.5V, 100A
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    无
    无铅
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